شبیه سازی میدان های دما و جریان شاره در یک سیستم رشد بلور ژرمانیوم
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه
- نویسنده الهه کبیری رنانی
- استاد راهنما محمد حسین توکلی مهدی اژییان
- سال انتشار 1391
چکیده
بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه-هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. یکی از قدرتمندترین نرم افزارهایی که برای مدل سازی این سیستم رشد استفاده می شود، نرم افزار fluent می باشد که با استفاده از روش دینامیک سیالات محاسباتی و مبتنی بر روش حجم محدود تاکنون نوشته شده است. در این پایان نامه مراحل مختلف رشد یک بلور در حالت پایدار شبیه سازی شده است، این سیستم از نوع سیستم رشد بلور مقاومتی است. در این شبیه سازی از هر سه نوع انتقال حرارت همرفت، رسانش و تابش استفاده شده است. یکی از پارامترهای اصلی برای رشد بلورهای نیمه رسانا با کیفیت بالا چرخش در مذاب و نطفه است که این عامل هم در نظر گرفته شده است. شبیه سازی تماس نطفه با سطح مذاب و در نهایت شبیه سازی بلوری با ارتفاع یک سانتی متر انجام گردید. با نتایج بدست آمده از این شبیه سازی به صورت توزیع دما و بردارهای سرعت می توان کیفیت مطلوبی که چرخش در رشد بلور موردنظر دارد را مشاهده کرد چرا که با مقایسه توزیع دما در مذاب ژرمانیوم در حالت های بدون تشعشع و چرخش، با وجود تشعشع و بدون چرخش و با تشعشع و چرخش به وجود دو عامل مهم چرخش و تشعشع که موجب همگن شدن جریان مذاب می شود می توان پی برد.
منابع مشابه
شبیه سازی سه بُعدی توزیع دما و میدان شاره در یک سیستم رشد بلور چُکرالسکی ژرمانیوم
بلورهای نیمه¬هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه¬هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به¬صورت دیود و ترانزیستور به¬کار می¬رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این¬که ژرمانیوم باید به شکل تک¬بلور باشد، درجه¬ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهم ترین تکنیک رشد این بلور نیمه-هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چُکرالسکی می¬باشد. در ا...
شبیه سازی رشد تک بلور BGO بوسیله روش ارتقاء یافته چُکرالسکی با گرادیان دمای پایین
در این مقاله میدان دما و جریان شاره در طی مراحل مختلف رشد تک بلور BGO به روش چُکرالسکی با گرادیان دمای پایین و استفاده از سیستم گرمایش مقاومتی شبیه سازی و کیفیت بلور رشد یافته با استفاده از تنش گرمایی ایجاد شده در آن، در ارتفاع های مختلف بررسی شده است. پیکربندی سامانه رشد استفاده شده در سیستم مورد مطالعه مطابق یا یک سیستم واقعی در آزمایشگاه و شامل یک لوله سرامیکی استوانه ای، محافظ گرمایی و سه من...
متن کاملشبیه سازی دو بعدی عددی جریان های شاره در رشد بلور al2o3 از مذاب
تکنیک چُکرالسکی متداول ترین روش برای رشد بلورهای اکسید مانند (al2o3) sapphire از فاز مذاب است. در این روش، ابتدا یک بلور اولیه با شعاع کوچک در تماس با سطح آزاد مذاب قرار می گیرد. پس از ایجاد فصل مشترک بلور- مذاب و برقراری تعادل حرارتی در سیستم، این بلور اولیه به سمت بالا کشیده می شود و در نتیجه یک تک بلور در پائین آن شروع به رشد می کند. فرآیندهای گرمای القائی، جریان های شاره و انتقال حرارت نقش م...
15 صفحه اولشبیه سازی تولید گرمای القائی و مقاومتی در سیستم رشد بلور چُکرالسکی ژرمانیوم
بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. در این روش...
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023